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DMN601WK
V GS = 0V
Pulsed
T A = 150 ° C
T A = 125 ° C
T A = 85 ° C
T A = 25 ° C
T A = 0 ° C
T A = -25 ° C
T A = -55 ° C
0
Tch, CHANNEL TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 7 Static Drain-Source On-State Resistance
vs. Channel Temperature
1
1
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig.10 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for the latest version.
A
SOT323
Dim Min Max Typ
G
H
B C
A
B
C
D
G
H
J
0.25 0.40 0.30
1.15 1.35 1.30
2.00 2.20 2.10
- - 0.65
1.20 1.40 1.30
1.80 2.20 2.15
0.0 0.10 0.05
K
M
K
L
M
0.90 1.00 1.00
0.25 0.40 0.30
0.10 0.18 0.11
J
D
L
?? 0° 8° -
All Dimensions in mm
DMN601WK
Document number: DS30653 Rev. 5 - 2
4 of 5
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
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DMN6040SSS-13 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN6040SVT-7 功能描述:MOSFET 60V N-Ch 44mOhm 10V VGS 5.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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